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此設備特點是將硫粉放于左端冷區，當硫化過程開始時利用拉桿式將硫粉推進熱場。控制電路選用模糊PID程控技術，具有控溫精度高，溫沖幅度小，性能可靠，簡單易操作。同樣也適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。
技術參數
 | 爐管尺寸： | 外徑Φ25/50/60/80/100*1000mm（可選） |
極限溫度： | 1200℃ | |
工作溫度： | ≤1100 ℃ | |
溫度控制器： | PID自動控制晶閘管（可控硅）輸出功率， 30段可編程控制器 | |
升溫速率： | ≤50℃/min | |
加熱區： | 200+200mm | |
恒溫區： | 100+100mm | |
控溫精度： | ±1 ℃ | |
電源： | 單相220V，交流50Hz | |
3路質量流量供氣系統 （觸摸屏控制）
| **電壓： | 185~245V/50Hz |
**輸出功率： | 18W | |
流量計標準量程： | 100 ，200，500SCCM （非特殊指定以氮氣標定，量程可選定） | |
工作溫度： | 5~45 oC | |
工作壓差： | 0.1～0.5 MPa | |
**壓力： | 3MPa | |
準確度： | ±1.5% FS | |
低真空系統
| 抽速： | 8.11 m3/h |
極限總壓： | 3×10-3 mabr | |
進排氣口： | DN 25 KF | |
噪音 （氣鎮開關時，距離1米處測量） | 54 dB | |
注油量： | 0.7- 1.1 L | |
重量： | 21 Kg | |
工作溫度： | 10~40 ℃ | |
功率： | 550W |
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